三星，3nm，GAA在业内曝光，存在漏电等一些关键技术问题，TSMC难以匹敌。

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一些关键技术问题，TSMC难以匹敌。

据业内人士透露，三星电子的3nm GAA工艺仍面临漏电等关键技术问题。据消息人士透露，这种工艺在性能和成本方面可能不如TSMC的3nm FinFET工艺。

据《电子时报》，上述人士表示，三星最早可能在2022年量产其3nm GAA工艺。但由于成本高，性能不理想，可能无法吸引TSMC 3nm fin fet工艺获得的客户，据说已经接到了苹果和英特尔的订单。

TSMC预计在2022年下半年将其3纳米FinFET工艺投入量产。首席执行官魏哲佳在最近的财报会议上表示，“N3将是我们N5的又一次全面扩展，并将采用FinFET晶体管结构，为我们的客户提供最佳的技术成熟度、性能和成本。”

失去苹果iPhone处理器订单后，三星在尖端芯片的竞争中落后于TSMC。据市场观察人士称，从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得3nm竞争的关键。

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